在DSP，ARM等高速处理器的应用中，高速度非易失存储器一直是个难题，目前仅个别公司提供这样的产品，如德国的ZMD公司，但只限小容量的产品，今天，可以向大家推荐飞思卡尔的存储器 (MRAM) MR2A16A 。
    MR2A16A是一款4,194,304 位（262,144字 x 16位）磁阻式随机存取存储器（MRAM）。MR2A16A配有片选使能（E*）、写入使能（W*）和输出使能（G*）引脚，可以实现极高的系统设计灵活性，且不会发生总线冲突。由于MR2A16A具有独立的字节使能控制（LB*和UB*），所以可以写入和读出单个字节。
    MRAM是一项非易失性存储器技术，可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新。MR2A16A是那些需要永久存储和快速读写关键数据应用的理想存储器解决方案。

    MR2A16A的特性
    单个3.3V电源供电
    商用温度范围（0°C ~ 70°C）
    对称式高速读/写能力，且具有快速的存取时间（35ns）
    灵活的数据总线控制 - 8位或16位存取
    相等的地址和片选使能存取时间
    利用低压禁止电路自动保护数据，以防止掉电时错误写入
    所有的输入和输出都是 TTL 兼容的
    全静态操作
    全非易失性操作，最短的数据保留期为10年

    磁阻式随机存取存储器（MRAM）是一项创新的存储器技术，可以替代当今很多的半导体存储器技术。 MRAM将eSRAM的速度和Flash的非易失性整合到一个芯片上。 MRAM采用磁矩（而非电荷）来确定存储器位单元的开关状态。 它可单独代替片内多种的存储器。 从而能够更快地实现针对新一代存储器密集型产品的更经济的解决方案。

    MRAM是一项非易失性存储器技术，可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新。

    飞思卡尔的第一款商用MRAM产品的名称为MR2A16A ，适用于多种商业应用，包括联网、安全、数据存储、游戏和打印机等。 该部件经济而又可靠，是替代battery-backed SRAM单元的理想产品。 该设备还可用于cache buffers、configuration storage memories以及其它需要MRAM的速度、灵活性和稳定性的应用。 MR2A16A是那些需要永久存储和快速读写关键数据应用的理想存储器解决方案。
资料下载: http://pdf.18ic.com/datasheet/motorola/freescale/mram/MR2A16A.pdf